RQJ0305EQDQS#H1
| 工場モデル | RQJ0305EQDQS#H1 |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America Inc |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 3.4A UPAK |
| パッケージ | UPAK |
| 株式 | 6491 pcs |
| データシート | Mult Dev EOL 15/Dec/2018Label Change-All Devices 01/Dec/2022RQJ0305EQDQS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +8V, -12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | UPAK |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 140mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-243AA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | 150°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A (Ta) |
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