RJM0603JSC-00#13
| 工場モデル | RJM0603JSC-00#13 |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America Inc |
| 詳細な説明 | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| パッケージ | 20-HSOP |
| 株式 | 4718 pcs |
| データシート | Label Change-All Devices 01/Dec/2022RJM0603JSC-00#13 EOL 20/Jun/2016 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 20-HSOP |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 10A, 10V |
| 電力 - 最大 | 54W |
| パッケージ/ケース | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| パッケージ | - |
| 運転温度 | 175°C |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2600pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A |
| コンフィギュレーション | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| 基本製品番号 | RJM0603 |
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