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製品の詳細仕様を参照してください。

RJK1002DPN-E0#T2

工場モデル RJK1002DPN-E0#T2
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 70A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 4057 pcs
データシート Mult Dev EOL 19/Dec/2019Label Change-All Devices 01/Dec/2022Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4057のRenesas Electronics America Inc RJK1002DPN-E0#T2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） -
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 7.6mOhm @ 35A, 10V
電力消費（最大） 150W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6450 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 94 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 70A (Ta)

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