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R2J20657NP#G3 Image
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R2J20657NP#G3

工場モデル R2J20657NP#G3
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
パッケージ 40-QFN (6x6)
株式 19010 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
44
$2.433
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。19010のRenesas Electronics America Inc R2J20657NP#G3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電源電圧 - 4.5V ~ 16V
サプライヤデバイスパッケージ 40-QFN (6x6)
シリーズ -
立上り/立下り時間（Typ） -
パッケージ/ケース 40-WFQFN Exposed Pad
パッケージ Bulk
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
入力周波数 1
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
ロジック電圧 - VIL、VIH 0.8V, 2.6V
入力タイプ TTL
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） 25 V
ゲートタイプ N-Channel MOSFET
駆動構成 High-Side or Low-Side
電流 - ピーク出力（ソース、シンク） -
ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） Independent
基本製品番号 R2J20657

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