R1EV58064BDARBI#B2
| 工場モデル | R1EV58064BDARBI#B2 |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America Inc |
| 詳細な説明 | IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP |
| パッケージ | 28-DIP |
| 株式 | 4616 pcs |
| データシート | R1EV58064BxxN/R SeriesMult Dev EOL 15/Dec/2021Label Change-All Devices 01/Dec/2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 10ms |
| 電源電圧 - | 2.7V ~ 5.5V |
| 技術 | EEPROM |
| サプライヤデバイスパッケージ | 28-DIP |
| シリーズ | R1EV58064BxxR |
| パッケージ/ケース | 28-DIP (0.600", 15.24mm) |
| パッケージ | Tray |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| メモリタイプ | Non-Volatile |
| 記憶容量 | 64Kbit |
| メモリ組織 | 8K x 8 |
| メモリインタフェース | Parallel |
| メモリ形式 | EEPROM |
| 基本製品番号 | R1EV58064 |
| アクセス時間 | 100 ns |
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