NP60N03KUG-E1-AY
工場モデル | NP60N03KUG-E1-AY |
---|---|
メーカー | Renesas Electronics America Inc |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 60A TO263 |
パッケージ | TO-263 |
株式 | 5315 pcs |
データシート | Multiple Devices 28/Aug/2013Label Change-All Devices 01/Dec/2022Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.8mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta), 88W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5300 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 93 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |
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