NP16N06YLL-E1-AY
工場モデル | NP16N06YLL-E1-AY |
---|---|
メーカー | Renesas Electronics America Inc |
詳細な説明 | ABU / MOSFET |
パッケージ | 8-HSON (5x5.4) |
株式 | 159364 pcs |
データシート | Label Change-All Devices 01/Dec/2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.553 | $0.497 | $0.399 | $0.328 | $0.272 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSON (5x5.4) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 35mOhm @ 8A, 10V |
電力消費(最大) | 1.25W (Ta), 27.3W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerLDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 600 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 18 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A (Tc) |
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