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NP109N04PUG-E1-AY

工場モデル NP109N04PUG-E1-AY
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
パッケージ TO-263-3
株式 4298 pcs
データシート Label Change-All Devices 01/Dec/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4298のRenesas Electronics America Inc NP109N04PUG-E1-AYの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263-3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.3mOhm @ 55A, 10V
電力消費（最大） 1.8W (Ta), 220W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 15750 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 270 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 110A (Tc)
基本製品番号 NP109N04

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データシート

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