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ISL6612AEIBZ-T

工場モデル ISL6612AEIBZ-T
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
パッケージ 8-SOIC-EP
株式 5421 pcs
データシート Label Change-All Devices 01/Dec/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5421のRenesas Electronics America Inc ISL6612AEIBZ-Tの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電源電圧 - 10.8V ~ 13.2V
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC-EP
シリーズ -
立上り/立下り時間（Typ） 26ns, 18ns
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -40°C ~ 125°C (TJ)
入力周波数 2
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
ロジック電圧 - VIL、VIH -
入力タイプ Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） 36 V
ゲートタイプ N-Channel MOSFET
駆動構成 Half-Bridge
電流 - ピーク出力（ソース、シンク） 1.25A, 2A
ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） Synchronous
基本製品番号 ISL6612

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