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HIP2123FRTBZ-T

工場モデル HIP2123FRTBZ-T
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9TDFN
パッケージ 9-TDFN (4x4)
株式 5874 pcs
データシート HIP212(2,3)FRTxZ(-T)Multiple Devices 26/Nov/2014Label Change-All Devices 01/Dec/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5874のRenesas Electronics America Inc HIP2123FRTBZ-Tの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電源電圧 - 8V ~ 14V
サプライヤデバイスパッケージ 9-TDFN (4x4)
シリーズ -
立上り/立下り時間（Typ） 10ns, 10ns
パッケージ/ケース 9-WDFN Exposed Pad
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
入力周波数 2
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
ロジック電圧 - VIL、VIH 1.4V, 2.2V
入力タイプ Inverting
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） 114 V
ゲートタイプ N-Channel MOSFET
駆動構成 Half-Bridge
電流 - ピーク出力（ソース、シンク） 2A, 2A
ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） Independent
基本製品番号 HIP2123

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