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H5N2522LSTL-E Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

H5N2522LSTL-E

工場モデル H5N2522LSTL-E
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 MOSFET N-CH 250V 20A 4LDPAK
パッケージ LDPAK
株式 6190 pcs
データシート Label Change-All Devices 01/Dec/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6190のRenesas Electronics America Inc H5N2522LSTL-Eの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） -
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ LDPAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 180mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大） 75W (Tc)
パッケージ/ケース SC-83
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1300 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 47 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 250 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20A (Ta)
基本製品番号 H5N2522

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データシート

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