2SK2729-E

工場モデル	2SK2729-E
メーカー	Renesas Electronics America Inc
詳細な説明	MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
パッケージ	TO-3P
株式	18311 pcs
データシート

提案された価格（米ドルでの測定）

58
$2.048

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規格

製品属性	属性値
同上@ VGS（TH）（最大）	3.5V @ 1mA
Vgs（最大）	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ	TO-3P
シリーズ	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	290mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大）	150W (Ta)
パッケージ/ケース	TO-3P-3, SC-65-3
パッケージ	Bulk

製品属性	属性値
運転温度	150°C
装着タイプ	Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3300 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	55 nC @ 10 V
FETタイプ	N-Channel
FET特長	-
ソース電圧（VDSS）にドレイン	500 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	20A (Ta)

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