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2SK1859-E

工場モデル 2SK1859-E
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
パッケージ TO-3P
株式 6766 pcs
データシート Label Change-All Devices 01/Dec/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6766のRenesas Electronics America Inc 2SK1859-Eの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） -
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3Ohm @ 3A, 10V
電力消費（最大） 60W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 980 pF @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 900 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Ta)
基本製品番号 2SK1859

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データシート

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