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Renesas

2SJ162-E

工場モデル 2SJ162-E
メーカー Renesas
詳細な説明 2SJ162 - P Channel MOSFET
パッケージ TO-3P
株式 6178 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesasシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6178のRenesas 2SJ162-Eの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.45V @ 100mA
Vgs（最大） ±15V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） -
電力消費（最大） 100W (Tc)
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 150°C
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 900 pF @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 160 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 7A (Ta)

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