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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > RM830
Rectron USA

RM830

工場モデル RM830
メーカー Rectron USA
詳細な説明 MOSFET N-CHANNEL 500V 5A TO220-3
パッケージ TO-220-3
株式 444074 pcs
データシート RM830
提案された価格 （米ドルでの測定）
5000
$0.096
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRectron USAシリーズの電子コンポーネントを専門としています。444074のRectron USA RM830の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
電力消費（最大） 87.5W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 900 pF @ 25 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 500 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5A (Tc)

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