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Rectron USA

RM4N650IP

工場モデル RM4N650IP
メーカー Rectron USA
詳細な説明 MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
パッケージ TO-251
株式 306540 pcs
データシート RM4N650xx
提案された価格 （米ドルでの測定）
4000
$0.117
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRectron USAシリーズの電子コンポーネントを専門としています。306540のRectron USA RM4N650IPの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-251
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
電力消費（最大） 46W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 280 pF @ 50 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4A (Tc)

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