Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > RM21N650T7
Rectron USA

RM21N650T7

工場モデル RM21N650T7
メーカー Rectron USA
詳細な説明 MOSFET N-CHANNEL 650V 21A TO247
パッケージ TO-247
株式 70657 pcs
データシート RM21N650T7
提案された価格 (米ドルでの測定)
1800
$0.621
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRectron USAシリーズの電子コンポーネントを専門としています。70657のRectron USA RM21N650T7の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 180mOhm @ 10.5A, 10V
電力消費(最大) 200W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1950 pF @ 50 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 21A (Tc)

おすすめ商品

RM21N650T7 データテーブルPDF

データシート