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Rectron USA

RM130N200HD

工場モデル RM130N200HD
メーカー Rectron USA
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 132A TO263-2
パッケージ TO-263-2
株式 31415 pcs
データシート RM130N200xx
提案された価格 （米ドルでの測定）
8000
$1.499
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRectron USAシリーズの電子コンポーネントを専門としています。31415のRectron USA RM130N200HDの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263-2
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 10.7mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 429W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4970 pF @ 100 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 132A (Tc)

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