RM12N650LD
| 工場モデル | RM12N650LD |
|---|---|
| メーカー | Rectron USA |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 11.5A TO252-2 |
| パッケージ | TO-252-2 |
| 株式 | 242092 pcs |
| データシート | RM12N650xx |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 25000 |
|---|
| $0.197 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRectron USAシリーズの電子コンポーネントを専門としています。242092のRectron USA RM12N650LDの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-2 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360mOhm @ 7A, 10V |
| 電力消費（最大） | 101W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 870 pF @ 50 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.5A (Tc) |
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