RM10N100S8
| 工場モデル | RM10N100S8 |
|---|---|
| メーカー | Rectron USA |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CHANNEL 100V 10A 8SOP |
| パッケージ | 8-SOP |
| 株式 | 368193 pcs |
| データシート | RM10N100S8 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 40000 |
|---|
| $0.12 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRectron USAシリーズの電子コンポーネントを専門としています。368193のRectron USA RM10N100S8の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1640 pF @ 50 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) |
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