RFB18N10CS

工場モデル	RFB18N10CS
メーカー	Harris Corporation
詳細な説明	MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5
パッケージ	TO-220AB-5
株式	34074 pcs
データシート

提案された価格（米ドルでの測定）

121
$0.98

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規格

製品属性	属性値
同上@ VGS（TH）（最大）	4V @ 250µA
Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220AB-5
シリーズ	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	100mOhm @ 9A, 10V
電力消費（最大）	79W (Tc)
パッケージ/ケース	TO-220-5

製品属性	属性値
パッケージ	Bulk
運転温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	20 nC @ 10 V
FETタイプ	N-Channel
FET特長	Current Sensing
ソース電圧（VDSS）にドレイン	100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	18A (Tc)