FJ4B01100L1
| 工場モデル | FJ4B01100L1 |
|---|---|
| メーカー | Panasonic Electronic Components |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004 |
| パッケージ | XLGA004-W-0808-RA01 |
| 株式 | 5460 pcs |
| データシート | Mult Devs 30/Apr/2021FJ4B01100L1 Datasheet |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 1.2mA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | XLGA004-W-0808-RA01 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 74mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 360mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 4-XFLGA, CSP |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 459 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.2A (Ta) |
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