P3D12005E2
| 工場モデル | P3D12005E2 |
|---|---|
| メーカー | PN Junction Semiconductor |
| 詳細な説明 | DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2 |
| パッケージ | TO-252-2 |
| 株式 | 40385 pcs |
| データシート | P3D12005E2 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 11 | 101 | 501 | 1001 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.816 | $1.639 | $1.356 | $1.181 | $1.035 | $0.992 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのPN Junction Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。40385のPN Junction Semiconductor P3D12005E2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-2 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | P3D |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-252-2 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 44 µA @ 650 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 19A |
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