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Panjit International Inc.

PJD3NA80_L2_00001

工場モデル PJD3NA80_L2_00001
メーカー Panjit International Inc.
詳細な説明 800V N-CHANNEL MOSFET
パッケージ TO-252
株式 4398 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのPanjit International Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。4398のPanjit International Inc. PJD3NA80_L2_00001の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
電力消費（最大） 80W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 406 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 11 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3A (Ta)

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