Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > PXN4R7-30QLJ
Nexperia USA Inc.

PXN4R7-30QLJ

工場モデル PXN4R7-30QLJ
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
パッケージ MLPAK33
株式 291397 pcs
データシート Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022PXN4R7-30QL
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.3 $0.263 $0.201 $0.159 $0.127
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。291397のNexperia USA Inc. PXN4R7-30QLJの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ MLPAK33
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
電力消費(最大) 1.8W (Ta), 42W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2100 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 46.2 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 15A (Ta), 74A (Tc)

おすすめ商品

PXN4R7-30QLJ データテーブルPDF

データシート