Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > PSMN4R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN4R0-30YL,115

工場モデル PSMN4R0-30YL,115
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
パッケージ LFPAK56, Power-SO8
株式 200459 pcs
データシート Label Chg 12/Mar/2017All Dev Label Chgs 2/Aug/2020PSMN4R0-30YLMult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$0.32 $0.285 $0.222 $0.184
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。200459のNexperia USA Inc. PSMN4R0-30YL,115の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.15V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ LFPAK56, Power-SO8
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大） 69W (Tc)
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2090 pF @ 12 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 36.6 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 100A (Tc)
基本製品番号 PSMN4R0

おすすめ商品

PSMN4R0-30YL,115 データテーブルPDF

データシート

PSMN4R0-30YL,115に関連した語彙

PSMN4R0-30YL,115関連コンポーネント