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PSMN130-200D,118

工場モデル PSMN130-200D,118
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
パッケージ DPAK
株式 4226 pcs
データシート Mult Dev 31/Dec/2019All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Logo 10/Dec/2016PSMN130-200D
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。4226のNexperia USA Inc. PSMN130-200D,118の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 130mOhm @ 25A, 10V
電力消費（最大） 150W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2470 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 65 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20A (Tc)

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