Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > PSMN017-80BS,118
PSMN017-80BS,118 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

PSMN017-80BS,118

工場モデル PSMN017-80BS,118
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 118609 pcs
データシート PSMN017-80BSLabel Chg 12/Mar/2017All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$0.552 $0.493 $0.384
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。118609のNexperia USA Inc. PSMN017-80BS,118の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 17mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大） 103W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1573 pF @ 40 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 26 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 50A (Tc)
基本製品番号 PSMN017

おすすめ商品

PSMN017-80BS,118 データテーブルPDF

データシート

PSMN017-80BS,118に関連した語彙

PSMN017-80BS,118関連コンポーネント