Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > PMT200EPEX
PMT200EPEX Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

PMT200EPEX

工場モデル PMT200EPEX
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
パッケージ SOT-223
株式 330980 pcs
データシート PMT200EPEAll Dev Label Chgs 2/Aug/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$0.206 $0.177 $0.133 $0.104
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。330980のNexperia USA Inc. PMT200EPEXの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 167mOhm @ 2.4A, 10V
電力消費（最大） 800mW (Ta)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 822 pF @ 35 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 15.9 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 70 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.4A (Ta)
基本製品番号 PMT200

おすすめ商品

PMT200EPEX データテーブルPDF

データシート

PMT200EPEXに関連した語彙

PMT200EPEX関連コンポーネント