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Nexperia USA Inc.

PMPB08R4VPX

工場モデル PMPB08R4VPX
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
パッケージ DFN2020MD-6
株式 497256 pcs
データシート Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022PMPB08R4VP
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.209 $0.179 $0.134 $0.105 $0.081
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。497256のNexperia USA Inc. PMPB08R4VPXの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 900mV @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DFN2020MD-6
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 9.6mOhm @ 12A, 4.5V
電力消費（最大） 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2200 pF @ 6 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 40 nC @ 4.5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
ソース電圧（VDSS）にドレイン 12 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Ta)
基本製品番号 PMPB08

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データシート

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