PHN210T,118
工場モデル | PHN210T,118 |
---|---|
メーカー | Nexperia USA Inc. |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 4183 pcs |
データシート | PHN210TLabel Chg 12/Mar/2017Mult Device Part Marking Add 30/Sep/2017Mult Devices EOL 30/Jun/2018Mult Devices EOL 12/Jul/2018All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Logo Marking Update 30/Nov/2016 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。4183のNexperia USA Inc. PHN210T,118の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.8V @ 1mA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
電力 - 最大 | 2W |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 250pF @ 20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6nC @ 10V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | PHN210 |
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