PHB20NQ20T118
| 工場モデル | PHB20NQ20T118 |
|---|---|
| メーカー | Nexperia USA Inc. |
| 詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| パッケージ | D2PAK |
| 株式 | 120974 pcs |
| データシート | PHB20NQ20T |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 417 |
|---|
| $0.286 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。120974のNexperia USA Inc. PHB20NQ20T118の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 130mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2470 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) |
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