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NTE Electronics, Inc

1N914B

工場モデル 1N914B
メーカー NTE Electronics, Inc
詳細な説明 DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
パッケージ DO-35
株式 1197765 pcs
データシート RoHS Statement1N914x Datasheet
提案された価格 （米ドルでの測定）
50 100 150 200 250
$0.037 $0.035 $0.033 $0.031 $0.03
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNTE Electronics, Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1197765のNTE Electronics, Inc 1N914Bの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1 V @ 100 mA
電圧 - 逆（VR）（最大） 100 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ DO-35
速度 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 4 ns
製品属性 属性値
パッケージ/ケース DO-204AH, DO-35, Axial
パッケージ Bag
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 5 µA @ 75 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 200mA
Vrと、F @キャパシタンス 4pF @ 0V, 1MHz

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