APTML20UM18R010T1AG
工場モデル | APTML20UM18R010T1AG |
---|---|
メーカー | Microsemi Corporation |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 |
パッケージ | SP1 |
株式 | 4061 pcs |
データシート | Mult Devices 01/Nov/2017Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 2.5mA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 19mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 480W (Tc) |
パッケージ/ケース | SP1 |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9880 pF @ 25 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 109A (Tc) |
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