APTGT100DH60T3G
| 工場モデル | APTGT100DH60T3G |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 詳細な説明 | IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3 |
| パッケージ | SP3 |
| 株式 | 5113 pcs |
| データシート | Mult Devices 01/Nov/2017Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 1.9V @ 15V, 100A |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP3 |
| シリーズ | - |
| 電力 - 最大 | 340 W |
| パッケージ/ケース | SP3 |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| NTCサーミスタ | Yes |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（量Cies）@ Vceは | 6.1 nF @ 25 V |
| 入力 | Standard |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 250 µA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 150 A |
| コンフィギュレーション | Asymmetrical Bridge |
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