APT17N80BC3G
| 工場モデル | APT17N80BC3G |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 株式 | 5956 pcs |
| データシート | APT17N80(B,S)C3Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.9V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| シリーズ | CoolMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 290mOhm @ 11A, 10V |
| 電力消費（最大） | 208W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2250 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) |
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