Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > APT10M07JVR
APT10M07JVR Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

APT10M07JVR

工場モデル APT10M07JVR
メーカー Microsemi Corporation
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
パッケージ ISOTOP®
株式 5652 pcs
データシート APT10M07JVRMicrochip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSDPT0F081A1230 Series EOL 15/Sep/2016
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrosemi Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5652のMicrosemi Corporation APT10M07JVRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 5mA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ ISOTOP®
シリーズ POWER MOS V®
電力消費(最大) 700W (Tc)
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
パッケージ Bulk
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Chassis Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 21600 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 1050 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 225A (Tc)

おすすめ商品

APT10M07JVR データテーブルPDF

データシート