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Microsemi Corporation

APT1002RBNG

工場モデル APT1002RBNG
メーカー Microsemi Corporation
詳細な説明 MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
パッケージ TO-247AD
株式 4114 pcs
データシート Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSLegacy Prod EOL 1/Mar/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrosemi Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4114のMicrosemi Corporation APT1002RBNGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD
シリーズ POWER MOS IV®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.6Ohm @ 4A, 10V
電力消費（最大） 240W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1800 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 105 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 1000 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8A (Tc)

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