2N6798U
| 工場モデル | 2N6798U |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC |
| パッケージ | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| 株式 | 6781 pcs |
| データシート | 2N6796,98U, 6800,02UMicrochip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSLast Time Buy Revision 08/Jul/2015Multiple Devices 12/Jun/2015 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 3.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 18-CLCC |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.29 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.5A (Tc) |
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