Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TP5335K1-G
Microchip Technology

TP5335K1-G

工場モデル TP5335K1-G
メーカー Microchip Technology
詳細な説明 MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
パッケージ TO-236AB (SOT23)
株式 211024 pcs
データシート Packing Changes 10/Oct/2016Label and Packing Changes 23/Sep/2015Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSTP5335TP5335 23/Mar/2022TP5335xx 07/Apr/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 25 100
$0.23 $0.193 $0.175
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。211024のMicrochip Technology TP5335K1-Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.4V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-236AB (SOT23)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 30Ohm @ 200mA, 10V
電力消費（最大） 360mW (Ta)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 110 pF @ 25 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 350 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 85mA (Tj)
基本製品番号 TP5335

おすすめ商品

TP5335K1-G データテーブルPDF

データシート

TP5335K1-Gに関連した語彙

TP5335K1-G関連コンポーネント