Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TP2510N8-G
TP2510N8-G Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

TP2510N8-G

工場モデル TP2510N8-G
メーカー Microchip Technology
詳細な説明 MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
パッケージ TO-243AA (SOT-89)
株式 87789 pcs
データシート Die Attach Material Update 26/Aug/2015Packing Changes 10/Oct/2016Label and Packing Changes 23/Sep/2015Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSAdditional Fabrication Site 03/Sep/2014TP2510 03/Jun/2020
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 25 100
$0.56 $0.466 $0.418
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。87789のMicrochip Technology TP2510N8-Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.4V @ 1mA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-243AA (SOT-89)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 3.5Ohm @ 750mA, 10V
電力消費(最大) 1.6W (Ta)
パッケージ/ケース TO-243AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 125 pF @ 25 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 480mA (Tj)
基本製品番号 TP2510

おすすめ商品

TP2510N8-G データテーブルPDF

データシート