Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TN5325N3-G-P002
TN5325N3-G-P002 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

TN5325N3-G-P002

工場モデル TN5325N3-G-P002
メーカー Microchip Technology
詳細な説明 MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
パッケージ TO-92-3
株式 128730 pcs
データシート TN5325 DatasheetPacking Changes 10/Oct/2016Packing Material 11/Oct/2019Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSNew Mold Compound 16/May/2022TN5325 07/Apr/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
2000
$0.254
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。128730のMicrochip Technology TN5325N3-G-P002の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 7Ohm @ 1A, 10V
電力消費（最大） 740mW (Ta)
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 110 pF @ 25 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 250 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 215mA (Ta)
基本製品番号 TN5325

おすすめ商品

TN5325N3-G-P002 データテーブルPDF

データシート

TN5325N3-G-P002に関連した語彙

TN5325N3-G-P002関連コンポーネント