TN2130K1-G
工場モデル | TN2130K1-G |
---|---|
メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB |
パッケージ | TO-236AB (SOT23) |
株式 | 373217 pcs |
データシート | Packing Changes 10/Oct/2016Label and Packing Changes 23/Sep/2015Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSTN2130 24/Mar/2022TN2130K1-G 17/Mar/2023 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 25 | 100 |
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$0.162 | $0.13 | $0.123 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-236AB (SOT23) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 25Ohm @ 120mA, 4.5V |
電力消費(最大) | 360mW (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 50 pF @ 25 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 300 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 85mA (Tj) |
基本製品番号 | TN2130 |
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