TN0110N3-G-P002
| 工場モデル | TN0110N3-G-P002 |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 |
| パッケージ | TO-92-3 |
| 株式 | 125691 pcs |
| データシート | Packing Changes 10/Oct/2016Packing Material 11/Oct/2019Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSNew Mold Compound 16/May/2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 25 | 100 |
|---|---|---|
| $0.478 | $0.397 | $0.362 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 500µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 1W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 60 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 350mA (Tj) |
| 基本製品番号 | TN0110 |
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