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LND150N3-G-P003

工場モデル LND150N3-G-P003
メーカー Microchip Technology
詳細な説明 MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
パッケージ TO-92-3
株式 192436 pcs
データシート New mold compound material 04/Nov/2021Packing Changes 10/Oct/2016Packing Material 11/Oct/2019Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSLND150/LND250 20/Aug/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 25 100
$0.252 $0.204 $0.193
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。192436のMicrochip Technology LND150N3-G-P003の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） -
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1000Ohm @ 500µA, 0V
電力消費（最大） 740mW (Ta)
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 10 pF @ 25 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Depletion Mode
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 0V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 500 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 30mA (Tj)
基本製品番号 LND150

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データシート

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