JANTXV1N6630
| 工場モデル | JANTXV1N6630 |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 詳細な説明 | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-PAK |
| パッケージ | E-PAK |
| 株式 | 3395 pcs |
| データシート | Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 100 |
|---|
| $10.369 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.4 V @ 1.4 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 900 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | E-PAK |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| 逆回復時間（trrの） | 50 ns |
| パッケージ/ケース | E, Axial |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Bulk |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 2 µA @ 900 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1.4A |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 基本製品番号 | 1N6630 |
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