JANS1N5807US
| 工場モデル | JANS1N5807US |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 詳細な説明 | DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF |
| パッケージ | B, SQ-MELF |
| 株式 | 2687 pcs |
| データシート | Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 50 |
|---|
| $16.219 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 875 mV @ 4 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 50 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | B, SQ-MELF |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| 逆回復時間（trrの） | 30 ns |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ/ケース | SQ-MELF, B |
| パッケージ | Bulk |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 3A |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
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