JAN1N649-1
工場モデル | JAN1N649-1 |
---|---|
メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 |
パッケージ | DO-35 |
株式 | 6346 pcs |
データシート | Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 400 mA |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/240 |
パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 nA @ 600 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 400mA |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
基本製品番号 | 1N649 |
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