JAN1N5553US
工場モデル | JAN1N5553US |
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メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B |
パッケージ | D-5B |
株式 | 13278 pcs |
データシート | Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
100 |
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$3.551 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。13278のMicrochip Technology JAN1N5553USの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.3 V @ 9 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 800 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | D-5B |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/420 |
逆回復時間(trrの) | 2 µs |
パッケージ/ケース | SQ-MELF, E |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 800 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 3A |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
基本製品番号 | 1N5553 |
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