HSM835JE3/TR13
工場モデル | HSM835JE3/TR13 |
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メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB |
パッケージ | DO-214AB |
株式 | 79141 pcs |
データシート | HSM825,830,835,840,845Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 |
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$0.478 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 620 mV @ 8 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 35 V |
技術 | Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AB |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | DO-214AB, SMC |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 250 µA @ 35 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 8A |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
基本製品番号 | HSM835 |
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